2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦光伏探測(cè)器 PVIA系列

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過(guò)光學(xué)浸沒(méi)來(lái)提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-06

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類(lèi)別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式 InAs 砷化銦光伏探測(cè)器 PVIA系列

PVIA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器,通過(guò)光學(xué)浸沒(méi)來(lái)提升探測(cè)器的性能。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求。

光譜響應(yīng)

2.15-3.5um

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)

可探測(cè)紅外波長(zhǎng)范圍2-5.5μm

可配專(zhuān)用前置放大器

高溫度穩(wěn)定性與機(jī)械耐久性

帶有超半球微型砷化鎵透鏡以實(shí)現(xiàn)光學(xué)浸沒(méi)，提升探測(cè)器的性能

產(chǎn)品應(yīng)用

熱成像

FTIR光譜學(xué)

激光外差探測(cè)

中紅外氣體分析

參數(shù)	探測(cè)器型號(hào)
參數(shù)	PVIA-3	PVIA-5
有源元件材料	外延InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)	外延InAsSb異質(zhì)結(jié)構(gòu)
最佳波長(zhǎng)λopt（μm）	2.15±0.2	2.3±0.2
峰值波長(zhǎng) Peak wavelength λpeak, µm	2.95±0.3	4.7±0.3
截止波長(zhǎng) Cut-off wavelength λcut-off (10 %), µm	3.5±0.2	5.5±0.2
探測(cè)率Detectivity D* (λpeak), cm·Hz1/2/W	≥5×1010	≥5×109
電流響應(yīng)度Ri (λpeak), A/W	≥1.1	≥1.2
時(shí)間常數(shù)T，ns	≤20	≤15
電阻R,Ω	PVIA-3≥2K, PVIA-5 ≥70
感光面尺寸A,mm×mm	1×1
封裝	TO39
接收角Φ	～36°
窗口	無(wú)