中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe探測(cè)器是一種熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞，MCT)探測(cè)器。這種材料對(duì)2.0到15 μm的中紅外光譜波段光波敏感。 中紅外熱電冷卻光電導(dǎo)HgCdTe(碲鎘汞，MCT)探測(cè)器 2.0 - 15μm / 450KΩ

1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-2TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)來(lái)提高器件的性能，具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λ_opt條件下性能達(dá)到好。截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。

1-12um 中紅外非冷卻光浸沒(méi)式MCT光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI系列 PCI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，通過(guò)光學(xué)浸沒(méi)來(lái)改善器件的參數(shù)，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)工作性能佳。截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在優(yōu)秀的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。

1-16μm MCT四級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器 PC-4TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，具有好的性能和穩(wěn)定性。這些器件在λopt下工作性能最佳。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。

紅外非冷卻InAs光伏探測(cè)器 2.15-3.5μm PVA系列是基于InAs 1-x Sb x合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標(biāo)要求